Модернизация России
Понедельник, 26.06.2017, 15:06



Вы вошли как Гость | Группа "Гости"Приветствую Вас Гость | RSS
[ Главная ] [ ] [ Мой профиль ] [ Регистрация ] [ Выход ] [ Вход ]

Меню

Новости по теме
Электроника [90]Связь [20]
Машиностроение, судостроение [357]Сельское хозяйство [173]
Металлургия [117]Военно-промышленных комплекс [224]
Финансы [96]Информационные технологии [67]
Законодательство [31]Химия [107]
Медицина и здравоохранение [140]Нанотехнологии [134]
Транспорт [185]Добыча ресурсов [51]
Энергетика [166]Строительство и стройматериалы [175]
Авиапром и космос [195]Безопасность и охрана природы [39]
Легкая промышленность [100]Наука [37]
Антикоррупция [33]Эксклюзив [21]

Форма входа

В закладку

Календарь записей
«  Ноябрь 2013  »
ПнВтСрЧтПтСбВс
    123
45678910
11121314151617
18192021222324
252627282930

Облако
Легкая промышленность Экономический рост Росатом ржд впк технопарки Сколково связь электроника модернизация металлургия строительство Судостроение Роснано светодиоды Оптоган КАЛУГА потребительские товары удобрения политика Медицина ГЛОНАСС энергетика нанотехнологии супер-эвм нефтепереработка транспорт промышленность авиапром Спутники http://www.warandpeace.ru/ru/news/v инвестиции технологии туризм финансы Космос химия камаз Усть-Луга наука эксклюзив машиностроение антикоррупция Сочи законодательство авипром СуперЭВМ СперЭВМ мащиностроение спутник охрана природы технопарк судостроеие нефтедобыча сельское хозяйство добыча ресурсов станки Нефтехимия потебительские товары образование Дороги электроники станкостроение автопром инфраструктура логистика торговля лекарства с/х мелаллургия

Реклама

Главная » 2013 » Ноябрь » 25 » Портфельная компания РОСНАНО «Крокус Наноэлектроника» запустила первую очередь завода по производству магниторезистивной памяти
16:54
Портфельная компания РОСНАНО «Крокус Наноэлектроника» запустила первую очередь завода по производству магниторезистивной памяти

В  рамках Международного форума «Открытые инновации» компания «Крокус Наноэлектроника», совместное предприятие РОСНАНО и Crocus Technology, приступила к производству магниторезистивной памяти (MRAM).

В торжественной церемонии открытия завода по телемосту приняли участие Мэр Москвы Сергей Собянин, председатель правления РОСНАНО Анатолий Чубайс, генеральный директор Crocus Technology (Франция) Жан-Люк Сенти и генеральный директор «Крокус Наноэлектроника» Борис Омаров.

Магниторезистивная память (MRAM), совмещающая в себе энергонезависимость, высокую скорость записи/чтения и практически неограниченное количество циклов перезаписи, является памятью нового поколения. Продукция проекта, основанная на MRAM и уникальной технологии MLU (Magnetic-Logic-Unit — магнитная логическая ячейка), разработанной Crocus Technology совместно с IBM, может использоваться в смарт-картах, сетевых коммутаторах, устройствах биометрической аутентификации, коммуникационных устройствах малого радиуса действия (near-field communications — NFC) и защищенной памяти. Ожидается, что объем общего рынка применений продукции проекта в 2014 году превысит $8 млрд.

Строительство производства компании «Крокус Наноэлектроника» на территории Технополиса «Москва» — один из примеров сотрудничества РОСНАНО и правительства Москвы, которое развивает на территории бывшего АЗЛК уникальную площадку для высокотехнологичных компаний. «Крокус Наноэлектроника» стал первым резидентом будущего микроэлектронного кластера.

Первая очередь производства «Крокус Наноэлектроника», введенная в строй за год с момента начала строительства, станет первым в мире производством MRAM с проектными нормами 90 нанометров. На 200- и 300-миллиметровые пластины, произведенные по технологии КМОП (комплементарный металлооксидный полупроводник), на заводе наносятся дополнительные слои для создания ячеек памяти MRAM. К концу 2014 года его производительность составит 500 пластин в неделю. Общий объем инвестиций в проект превышает 8 млрд.руб. млн, включая софинансирование РОСНАНО в размере 4 млрд.руб.

Технологическая справка

MRAM (magnetoresistive random access memory, магниторезистивная память с произвольным доступом) — технология цифровой памяти, которая объединяет преимущества традиционных полупроводниковых и магнитных технологий. Микросхемы MRAM обладают преимуществами хорошо известных типов памяти — DRAM, SRAM и Flash — и в то же время лишены многих их недостатков. Данные в MRAM записываются не с помощью электрических зарядов, а с помощью магнитной поляризации элементов памяти, что обеспечивает важное для этого типа памяти свойство — энергонезависимость, т. е. возможность сохранять записанные в ячейки данные даже в случае отключения питания. Микросхемы MRAM сочетают низкое энергопотребление, высокую скорость и практически неограниченное число циклов чтения и записи памяти DRAM с энергонезависимостью Flash.

Создание миниатюрных чипов MRAM во многом стало возможным благодаря открытию в 1988 году эффекта гигантского магнитосопротивления, за которое в 2007 физикам Альберту Феру и Петеру Грюнбергу была присуждена Нобелевская премия. В середине 1990-х годов сразу несколько компаний начали интенсивные разработки MRAM, среди которых преуспела компания Motorola, выпустившая в 2005 году первый чип емкостью 1 Мбит, созданный по нормам 180 нанометров. Однако только Crocus Technology на текущий момент удалось создать действующий 130-нанометровый чип и продемонстрировать возможность производства 90-нанометровой магниторезистивной памяти по технологии термического переключения.

Технология термического переключения (Thermally Assisted Switching — TAS™) — разработанная Crocus Technology и защищенная патентами технология, в которой запись производится при нагревании ячейки памяти.

Категория: Электроника | Просмотров: 1728 | Добавил: max | Теги: электроника | Рейтинг: 3.0/1
Всего комментариев: 0
Добавлять комментарии могут только зарегистрированные пользователи.
[ Регистрация | Вход ]
Copyright MAX_9 © 2010-2017